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2026年8月30日 (日)

RF Weekly Digest 2026/8/23-8/30 (Codex(GPT-5.6 Sol)によるRF情報週刊まとめ)

Weekly intelligence for radio-frequency engineering

RF Weekly Digest

2026年8月24日〜8月30日(JST)|英語情報を先に要約し、日本語訳とRF視点を併記

Executive summary

今週は「高周波の実装」が主役だった。Taoglasはガラス面に貼れる透明な5G/Wi-Fi/GNSSアンテナ、HUBER+SUHNERは81 GHzまでの金属化プラスチック3D導波管アンテナを提示。KeysightとAttoTudeは100 GHz〜3 THzのASIC設計期間を6週間未満へ短縮した事例を公開し、AMDはRF SoCへUCIe 1.1を導入する計画を示した。

送信系ではMini-Circuitsの10 MHz〜6 GHz/2.5 GHz広帯域GaN MMIC PAとGuerrilla RFの150 W GaN-on-SiC HEMTが目立つ。受信系ではIEEE Solid-State Circuits Lettersに、2.8 GHz LNAへ自己ミキシング型電力検出器を統合するIoT向け回路が登場した。新しい3GPP/ITU/ATIS仕様公開は確認できなかった。

今週の注目情報

 | Antenna / 5G / Wi-Fi / GNSS

Taoglas、透明面に貼れる5G/Wi-Fi/GNSSアンテナ

Antenna5GWi-FiGNSS
English-first summary: Taoglas highlighted its Invisible Antenna portfolio for mounting directly on glass, displays and other transparent surfaces. The range includes the TFX125 multi-band GNSS antenna, TFX62 wideband cellular/5G antenna and TFX257 Wi-Fi antenna. The peel-and-stick transparent-film products are in volume production.

日本語訳: Taoglasは、ガラス、表示器、透明樹脂へ直接貼り付けるInvisible Antenna群を紹介した。TFX125はマルチバンドGNSS、TFX62は広帯域セルラー/5G、TFX257はWi-Fiを担当し、透明フィルム型の製品は量産中としている。

RF視点: 車窓、デジタルサイネージ、駐車メーターで外観とアンテナ配置自由度を両立する。透明導体のシート抵抗、ガラス誘電率、金属枠、貼付位置による離調は完成機で確認が必要。

Source: everything RF / Taoglas
 | mmWave / Waveguide / Automotive radar

HUBER+SUHNER、81 GHz対応3D導波管アンテナ技術を拡張

mmWaveWaveguideAntennaADAS
English-first summary: HUBER+SUHNER described metallized-plastic 3D waveguide antenna structures for automotive radar up to 81 GHz. Molding and metallization form internal waveguides intended to deliver low loss, high efficiency and high gain in compact modules. The underlying process has also been demonstrated at frequencies up to 950 GHz.

日本語訳: HUBER+SUHNERは、81 GHzまでの車載レーダー用金属化プラスチック3D導波管アンテナを説明した。成形とメタライズで内部導波路を作り、小型モジュール内で低損失・高効率・高利得を狙う。基盤技術は950 GHzまでの実証歴もある。

RF視点: アンテナ・給電路・筐体を立体成形で一体化できれば部品点数と損失を抑えられる。公表記事はポートフォリオ紹介であり、81 GHz量産品の利得、損失、温度サイクル後の数値は個別確認が必要。

Source: everything RF / HUBER+SUHNER
 | RF / sub-THz / THz / EDA

AttoTude、100 GHz〜3 THz ASICの設計期間を50%以上短縮

sub-THzTHzWaveguideKeysight
English-first summary: AttoTude expanded its use of Keysight ADS and design-data management across a guided-wave interconnect ASIC workflow spanning 100 GHz to 3 THz. Keysight reports design cycles below six weeks, more than 50% faster than before, with first-pass silicon meeting specification for 200G, 400G and 800G per-lane links.

日本語訳: AttoTudeは、100 GHz〜3 THzの誘電体導波インターコネクトASIC設計にKeysight ADSと設計データ管理を全面利用した。Keysightによると、設計期間は6週間未満、従来比50%以上短縮し、レーン当たり200G/400G/800Gで初回シリコンが仕様を満たした。

RF視点: レイアウト、EMモデル、回路、測定相関を一つの版管理環境へまとめた点が重要。性能値はKeysightの顧客事例であり、独立したベンチマークではない。

Source: everything RF / Keysight
 | RF adaptive SoC / UCIe / Chiplets

AMD、Versal RF SeriesにUCIe 1.1とマルチTbps級接続

RF SoCUCIeChipletAMD
English-first summary: AMD plans native UCIe 1.1 connectivity for selected Versal RF Series adaptive SoCs, with up to four UCIe-SP and two UCIe-AP interfaces and multi-terabit-per-second aggregate in-package bandwidth. Potential co-packaged devices include RF AFEs, converters, AI accelerators, CPUs and security engines. Production chiplets are expected in Q4 2027.

日本語訳: AMDは一部Versal RF SeriesへUCIe 1.1を内蔵し、最大4本のUCIe-SPと2本のUCIe-AP、パッケージ内合計マルチTbps帯域を提供する計画。RF AFE/コンバーター、AI、CPU、セキュリティなどのチップレットを想定し、量産は2027年第4四半期予定。

RF視点: 高速ADC/DACとDSPの近くに用途別シリコンを置き、基板配線の電力・遅延・面積を減らす方向。ただし現時点はロードマップで、RFアイソレーションや熱密度を含む実装性能は未確定。

Source: everything RF / AMD
 | GaN-on-SiC / Wideband PA

Mini-Circuits、10 MHz始まりの広帯域GaN MMIC PAを2種

GaN-on-SiCPower amplifierMMICWideband
English-first summary: Mini-Circuits introduced two internally matched 28 V GaN-on-SiC MMIC PAs. The GNA-63-5W+ covers 10 MHz–6 GHz with more than 6 W output, 12 dB large-signal gain and 35% typical PAE. The GNA-252-5W+ covers 10 MHz–2.5 GHz with more than 8 W output, 13.5 dB gain and 47% typical PAE.

日本語訳: Mini-Circuitsは28 V、50 Ω内部整合のGaN-on-SiC MMIC PAを2種投入した。GNA-63-5W+は10 MHz〜6 GHz、6 W超、利得12 dB、代表PAE 35%。GNA-252-5W+は10 MHz〜2.5 GHz、8 W超、利得13.5 dB、代表PAE 47%。

RF視点: 広帯域EW、試験、衛星、セルラーインフラのドライバ/最終段に使いやすい。公称PAEは周波数と出力バックオフで変わるため、マルチキャリア用途ではIMDと熱設計を優先して評価したい。

Source: everything RF / Mini-Circuits
 | GaN HEMT / High-power RF

Guerrilla RF、DC〜3.2 GHz・150 WのGaN-on-SiC HEMT

GaN-on-SiC150 WPA transistorRadar
English-first summary: Guerrilla RF announced the unmatched GRF0150 discrete GaN-on-SiC HEMT, specified for 150 W output at P3dB from DC to 3.2 GHz. It supports CW, pulsed and linear operation, uses a 50 V reference drain supply and ships in an industry-standard air-cavity ceramic package.

日本語訳: Guerrilla RFは、DC〜3.2 GHzでP3dB出力150 Wの非整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMT「GRF0150」を発表した。CW、パルス、線形動作に対応し、基準ドレイン電圧50 V、標準ACCパッケージを採用する。

RF視点: 非整合品のため、周波数・帯域・効率・高調波を用途別整合回路で設計できる反面、ロードプル、安定化、熱抵抗、パッケージ寄生の検証負担は大きい。

Source: everything RF / Guerrilla RF
 | RF energy harvesting / IoT market

RFエナジーハーベスティング、2030年に30億IoT機器の潜在市場

IoTRF energyWi-FiBluetooth
English-first summary: Transforma Insights estimates that up to 3 billion connected devices—about one tenth of the 2030 IoT base—could potentially use RF energy harvesting. Inventory management and monitoring represent 1.72 billion devices, or 59% of the opportunity. Typical harvested power is only microwatts to low milliwatts, often requiring controlled RF illumination.

日本語訳: Transforma Insightsは、2030年のIoT接続機器の約1割、最大30億台がRFエナジーハーベスティングを利用し得ると予測する。在庫管理・監視が17.2億台、全体の59%を占める。得られる電力は通常µW〜低mWで、専用RF送信源が必要な場合も多い。

RF視点: 「周囲のWi-Fiだけで何でも動く」という話ではなく、低デューティのBLE/Zigbeeタグ、ESL、簡易センサーが中心。整流効率、受信電力密度、アンテナ面積、人体曝露・規制を同時に見る必要がある。

Source: everything RF / Transforma Insights
 | Embedded IoT / Robotics / Qualcomm

Qualcomm、国内ロボティクス拠点とArduino VENTUNO Qを発表

QualcommIoTRoboticsEdge AI
English-first summary: Qualcomm announced a long-term Japan robotics initiative centered on a planned Qualcomm Japan Robotics Center. On the same day, its Arduino subsidiary opened pre-orders for VENTUNO Q, pairing a Dragonwing IQ-8275 processor with an STM32H5 real-time MCU for on-device sensing and control; the platform targets robotics, industrial edge AI and smart-city systems.

日本語訳: QualcommはQualcomm Japan Robotics Centerを中核とする国内ロボティクス長期投資構想を発表。同日、子会社ArduinoはDragonwing IQ-8275とSTM32H5リアルタイムMCUを組み合わせるVENTUNO Qの予約を開始し、ロボット、産業エッジAI、スマートシティを狙う。

RF視点: 今週のQualcomm発表はRFフロントエンド新製品ではない。とはいえ、物理AI機器ではWi-Fi/Bluetooth/セルラー接続、EMC、モーター雑音とアンテナ配置が量産段階の重要課題になる。

Source: Qualcomm Japan initiative · VENTUNO Q
 | Qorvo / RF manufacturing

Qorvo、RFデバイス向けElite360ウェハ/ダイ前処理サービス

QorvoWaferPackagingRF manufacturing
English-first summary: Qorvo promoted its Elite360 wafer and die-preparation services as a bridge between wafer post-processing and downstream packaging. The offering covers operations such as thinning, dicing, die inspection and handling intended to reduce process handoffs and support RF-device manufacturing quality.

日本語訳: QorvoはElite360ウェハ/ダイ前処理サービスを公開し、ウェハ後工程とパッケージ工程の間を一体化する。薄化、ダイシング、検査、ハンドリングなどをまとめ、RFデバイス製造の受け渡しリスク低減を狙う。

RF視点: 新しいSAW/BAW/PAではなく製造サービスの更新。高周波デバイスでは裏面厚、ダイエッジ、接地、熱経路がRF性能と歩留まりへ直結するため、後工程の一貫性は設計値の再現性に効く。

Source: everything RF / Qorvo

Research watch

 | Scientific Reports / THz MIMO antenna

1.58/2.6 THz MIMOアンテナのアイソレーションを機械学習で予測

THz6GMIMOIoT
English-first summary: A peer-reviewed Scientific Reports paper presents a two-port graphene-patch MIMO antenna on polyimide for 1.58 and 2.6 THz operation. The optimized layout reports 6–6.5 dBi gain, isolation reaching −18 dB around 2.6 THz and −25 to −45 dB over 1–1.5 THz. A gradient-boosting surrogate predicts S21 versus frequency and spacing with reported R² of 99.99%.

日本語訳: Scientific Reports論文は、ポリイミド上グラフェンパッチの2ポートMIMOアンテナを提案し、1.58/2.6 THzで動作する。利得6〜6.5 dBi、2.6 THz付近で最大−18 dB、1〜1.5 THzで−25〜−45 dBのアイソレーションを報告。勾配ブースティング代理モデルは周波数・素子間隔からS21をR² 99.99%で予測した。

RF視点: HFSSパラメトリック探索をMLで置き換える設計手法が主眼。公表内容はシミュレーション中心で、THz実測、給電、材料ばらつき、パッケージ損失を含む6Gリンク実証ではない。

Source: Scientific Reports
 | IEEE SSCL / CMOS LNA / IoT

2.8 GHz LNAに自己ミキシング型RF電力検出器を統合

LNAIoT radioCMOSIEEE
English-first summary: An IEEE Solid-State Circuits Letters early-access paper presents a 2.8 GHz low-power CMOS LNA with an embedded direct-conversion, self-mixing power detector. Two internal LNA node voltages are reused as RF and LO inputs, avoiding a separate LO generator, coupler or detector pickup path for low-overhead RF-power monitoring.

日本語訳: IEEE Solid-State Circuits LettersのEarly Access論文は、2.8 GHz低消費電力CMOS LNAへ直接変換型の自己ミキシング電力検出器を組み込んだ。LNA内部2ノードをRF/LO入力として再利用し、専用LO発生器やカプラなしでRF電力監視を行う。

RF視点: IoT無線の自己診断や適応バイアスへつながる回路。検索可能な抄録はEarly Access 1ページ表記で、利得、NF、消費電力、検出範囲の全数値はIEEE Xplore本文で確認が必要。

Source: IEEE Solid-State Circuits Society · DOI

Component & market radar

2026-08-27 | Bluetooth LE 6.0

KAGA FEI EC4L15MA1

2.402〜2.480 GHz、+7 dBm、最大2 Mbps、nRF54L15、アンテナ内蔵。9.6 × 12.9 × 2.0 mmで最大8台同時接続、PSA Level 3対応。

Product index
2026-08-26 | RAIN RFID

NXP UCODE-NXM

860〜960 MHz、読取感度−24 dBm、書込感度−22 dBm。拡張メモリ、ECC、プライバシー機能を備え、物流・DPP・製造追跡を想定。

Product index
2026-08-28 | IoT chip antenna

Abracon AANI-CH-0212

902〜928 MHzの小型チップアンテナ。狭いIoT機器への組込み向け。実装基板寸法、グランド、マッチング条件はデータシートで要確認。

Product index
2026-08-28 | mmWave connector

Samtec 100-CM Series

1.0 mm圧縮実装コネクタ、DC〜120 GHz。高周波評価基板やVNA測定向け。基板遷移と締結再現性が測定不確かさを左右する。

Product index
2026-08-26 | GaAs MMIC / Phased array

AmpliTech、SATCOM向けMMICを3件設計採用

フェーズドアレイ衛星通信プラットフォーム向けGaAs MMICの採用。製品型番や周波数・NF・出力の詳細は発表時点で限定的。

Source
2026-08-24 | LTE Cat 1bis / IoT

LTE Cat 1bis技術eBook

単一受信アンテナでBOMを抑えるCat 1bisの基礎、従来Cat 1/NB-IoT/LTE-Mとの差をまとめた業界資料。新規規格ではなく設計参考情報。

Source

製品値はメーカー/製品索引の公称値。量産採用前に最新版データシート、評価条件、熱設計、認証状態を確認してください。

Device teardown watch

 | Smartphone teardown video

Pixel 11 Pro XL:前後から開ける修理性重視の内部構造

SmartphoneTeardownWireless chargingThermal
English-first summary: JerryRigEverything's 9-minute teardown and durability test shows the Pixel 11 Pro XL opening from either the display or rear panel. The screen, rear panel with charging coil, battery, cameras and HiLight LED are comparatively accessible. The device passes the bend test, although the advertised scratch-resistant coating shows limited benefit in the test.

日本語訳: JerryRigEverythingの9分14秒動画では、Pixel 11 Pro XLを画面側・背面側の両方から開けられる。画面、充電コイル付き背面、バッテリー、カメラ、HiLight LEDへ比較的アクセスしやすく、曲げ試験にも耐えた。一方、耐傷コーティングの効果は試験上限定的だった。

RF視点: 背面充電コイル、磁石、カメラ、熱拡散材、アンテナ領域の近接実装を確認できる。ただし動画はRFフロントエンド部品の型番同定やSパラメータ解析ではない。

Watch: JerryRigEverything on YouTube · Supporting summary
 | Foldable smartphone teardown / durability video

Galaxy Z Fold8 Ultra:薄型化と折り畳み表示部の耐久トレードオフ

FoldableTeardownSamsungHinge
English-first summary: JerryRigEverything's 12-minute durability test includes a final teardown of the Galaxy Z Fold8 Ultra. The outer structure survives initial abuse, but the inner foldable display fails during the second reverse-bend attempt. The video exposes the hinge, dual-screen construction, internal shielding and thermal materials of the 4.1-mm-unfolded device.

日本語訳: 12分35秒の動画はGalaxy Z Fold8 Ultraの耐久試験後に分解も行う。外装は初期試験に耐えたが、2回目の逆方向曲げで内側折り畳み画面が故障。展開時4.1 mmの筐体内にあるヒンジ、2画面構造、シールド、熱材料を確認できる。

RF視点: 超薄型折り畳みではアンテナ、フレックス、シールド、ヒンジ、グランド連続性の共存が難しい。破壊試験は通常使用を再現するものではなく、故障原因も動画だけでは断定できない。

Watch: JerryRigEverything videos · Supporting summary

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